1. EMC-ի պատճառները և պաշտպանիչ միջոցառումները
Բարձր արագությամբ առանց խոզանակների շարժիչներում EMC խնդիրները հաճախ ամբողջ նախագծի ուշադրության կենտրոնում և դժվարությունն են, և ամբողջ EMC-ի օպտիմալացման գործընթացը շատ ժամանակ է պահանջում:Հետևաբար, մենք պետք է նախ ճիշտ ճանաչենք EMC ստանդարտը գերազանցելու պատճառները և համապատասխան օպտիմալացման մեթոդները:
EMC օպտիմալացումը հիմնականում սկսվում է երեք ուղղություններից.
- Բարելավել միջամտության աղբյուրը
Բարձր արագությամբ առանց խոզանակների շարժիչների կառավարման ժամանակ միջամտության ամենակարևոր աղբյուրը շարժիչի միացումն է, որը կազմված է անջատիչ սարքերից, ինչպիսիք են MOS և IGBT:Առանց գերարագ շարժիչի աշխատանքի վրա ազդելու, MCU կրիչի հաճախականությունը նվազեցնելը, անջատիչ խողովակի միացման արագությունը նվազեցնելը և անջատիչ խողովակը համապատասխան պարամետրերով ընտրելը կարող են արդյունավետորեն նվազեցնել EMC միջամտությունը:
- Միջամտության աղբյուրի միացման ճանապարհի կրճատում
PCBA-ի երթուղման և դասավորության օպտիմիզացումը կարող է արդյունավետորեն բարելավել EMC-ն, և գծերի միացումը միմյանց ավելի մեծ միջամտություն կառաջացնի:Հատկապես բարձր հաճախականության ազդանշանային գծերի դեպքում փորձեք խուսափել օղակներ ձևավորող հետքերից և ալեհավաքներ ձևավորող հետքերից:Անհրաժեշտության դեպքում կարող է մեծացնել պաշտպանիչ շերտը՝ կցորդիչը նվազեցնելու համար:
- Միջամտության արգելափակման միջոցներ
EMC-ի բարելավման համար առավել հաճախ օգտագործվում են տարբեր տեսակի ինդուկտացիաներ և կոնդենսատորներ, և հարմար պարամետրեր ընտրվում են տարբեր միջամտությունների համար:Y կոնդենսատորը և ընդհանուր ռեժիմի ինդուկտիվությունը նախատեսված են ընդհանուր ռեժիմի միջամտության համար, իսկ X կոնդենսատորը՝ դիֆերենցիալ ռեժիմի միջամտության համար:Ինդուկտիվության մագնիսական օղակը նույնպես բաժանված է բարձր հաճախականության մագնիսական օղակի և ցածր հաճախականության մագնիսական օղակի, և անհրաժեշտության դեպքում անհրաժեշտ է միաժամանակ ավելացնել երկու տեսակի ինդուկտացիա:
2. EMC օպտիմալացման դեպք
Մեր ընկերության 100,000 պտույտ/րոպե արագությամբ առանց խոզանակ շարժիչի EMC օպտիմիզացման մեջ կան մի քանի հիմնական կետեր, որոնք, հուսով եմ, օգտակար կլինեն բոլորի համար:
Որպեսզի շարժիչը հասնի հարյուր հազար պտույտի բարձր արագության, նախնական կրիչի հաճախականությունը սահմանվում է 40KHZ, ինչը երկու անգամ ավելի բարձր է, քան մյուս շարժիչները:Այս դեպքում օպտիմալացման այլ մեթոդներ չեն կարողացել արդյունավետորեն բարելավել EMC-ը:Հաճախականությունը կրճատվում է մինչև 30KHZ, իսկ MOS-ի միացման ժամանակների քանակը կրճատվում է 1/3-ով, մինչև զգալի բարելավում կա:Միևնույն ժամանակ պարզվել է, որ MOS-ի հակադարձ դիոդի Trr-ը (հակադարձ վերականգնման ժամանակը) ազդում է EMC-ի վրա, և ընտրվել է ավելի արագ հակադարձ վերականգնման ժամանակով MOS:Փորձարկման տվյալները ներկայացված են ստորև բերված նկարում:500KHZ~1MHZ մարժան ավելացել է մոտ 3dB-ով, իսկ ալիքի ալիքի ձևը հարթվել է.
PCBA-ի հատուկ դասավորության շնորհիվ կան երկու բարձրավոլտ էլեկտրահաղորդման գծեր, որոնք պետք է միացվեն այլ ազդանշանային գծերի հետ:Այն բանից հետո, երբ բարձր լարման գիծը փոխվել է ոլորված զույգի, փոխադարձ միջամտությունը կապարների միջև շատ ավելի փոքր է:Փորձարկման տվյալները տրված են ստորև նկարում, և 24 ՄՀց մարժան աճել է մոտ 3 դԲ-ով.
Այս դեպքում օգտագործվում են երկու սովորական ռեժիմի ինդուկտորներ, որոնցից մեկը ցածր հաճախականության մագնիսական օղակ է՝ մոտ 50 մՀ ինդուկտիվությամբ, ինչը զգալիորեն բարելավում է ԷՄԿ-ն 500KHZ~2MHZ միջակայքում։Մյուսը բարձր հաճախականությամբ մագնիսական օղակ է՝ մոտ 60uH ինդուկտիվությամբ, որը զգալիորեն բարելավում է EMC-ը 30MHZ~50MHZ միջակայքում:
Ցածր հաճախականության մագնիսական օղակի փորձարկման տվյալները ներկայացված են ստորև նկարում, իսկ ընդհանուր մարժան ավելացել է 2 դԲ-ով 300KHZ~30MHZ միջակայքում:
Բարձր հաճախականության մագնիսական օղակի փորձարկման տվյալները ցույց են տրված ստորև նկարում, իսկ մարժան ավելացել է ավելի քան 10 դԲ-ով.
Հուսով եմ, որ բոլորը կարող են կարծիքներ փոխանակել և մտքեր փոխանակել EMC-ի օպտիմալացման վերաբերյալ և գտնել լավագույն լուծումը շարունակական թեստավորման ժամանակ:
Հրապարակման ժամանակը՝ հունիս-07-2023